以科技为动力，以质量为生存
TAKE THE SCIENCE AND TECHNOLOGY AS THE MOTIVE FORCE
STRIVES FOR THE SURVIVAL BY THE QUALITY
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各品牌SDRAM代换表 |
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Org |
Hynix(韩国现代) |
Samsung(韩国三星) |
Winbond(台湾华邦) |
Elpida(日本尔必达) |
Esmt(台湾晶豪) |
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1*16 |
HY57V161610 |
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W9816G6 |
EDS1616A |
M12L16161A |
|
4*16 |
HY57V641620 |
K4S641632 |
W9864G6 |
EDS6416A |
M12L64164A |
|
2*32 |
HY57V643220 |
K4S643232 |
|
|
M12L64322A |
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8*16 |
HY57V281620 |
K4S281632 |
W9812G6 |
EDS1216A |
M12L128168A |
|
16*16 |
HY57V561620 |
K4S561632 |
W9825G6 |
EDS2516A |
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Org |
Etron(台湾钰创) |
ISSI(美国) |
Icsi(台湾) |
Micron(美国美光) |
Infineon(德国英飞凌) |
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1*16 |
EM636165 |
IS42S16100 |
IC42S16100 |
MT48LC1M16 |
HYB39S16160 |
|
4*16 |
EM638165 |
IS42S16400 |
IC42S16400 |
MT48LC4M16 |
HYB39S64160 |
|
2*32 |
EM638325 |
IS42S32200 |
IC42S32200 |
MT48LC2M32 |
|
|
8*16 |
EM639165 |
IS42S16800 |
IC42S16800 |
MT48LC8M16 |
HYB39S128160 |
|
16*16 |
|
IS42S16160 |
IC42S16160 |
MT48LC16M16 |
HYB39S256160 |
|
Org |
Hynix(韩国现代) |
Samsung(韩国三星) |
Winbond(台湾华邦) |
Elpida(日本尔必达) |
Nanya(台湾南亚) |
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8*16 |
HY5DU281622 |
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W9413G6IH |
EDD1216AJTA |
NT5DS8M16FS |
|
16*16 |
HY5DU2561622 |
K4H561638 |
W9425G6EH |
EDD2516AETA |
NT5DS16M16CS |
|
32*16 |
HY5DU121622 |
K4H511638 |
|
EDD5116AGTA |
NT5DS32M16CS |
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64*8 |
HY5DU12822 |
K4H510838 |
|
EDD5108AGTA |
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各品牌Spi Flash代换表 |
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Density |
Winbond 华邦SPI |
Amic 联笙SPI |
Eon 宜扬SPI |
Numonyx 恒忆SPI |
SST 超捷SPI |
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1M |
W25X10AVSNIG |
A25L010O-F |
EN25F10-100GIP |
M25P10-AVMN6TP/X |
SST25VF010A-33-4C-SAE |
|
2M |
W25X20AVSNIG |
A25L020O-F |
EN25F20-100GIP |
M25P20-VMN6TPB |
SST25VF020A-33-4C-SAE |
|
4M |
W25X40BVSNIG |
A25L040O-F |
EN25F40-100GIP |
M25P40-VMN(MW)6TPB |
SST25VF040B-50-4C-S2AF |
|
8M |
W25D80VSSIG |
A25L080M-F |
EN25F80-100HIP |
M25P80-VMN(MW)6T/P |
SST25VF080B-50-4C-S2AF |
|
16M |
W25Q16BVSSIG |
A25L016M-F |
EN25F16-100HIP |
M25P16--VMN(MW)6TP |
SST25VF016B-50-4C-S2AF |
|
32M |
W25Q32BVSSIG |
A25L032M-F |
EN25Q32-100HIP |
M25P32-VMW6TPBA |
SST25VF032B-66-4I-S2AF |
|
64M |
W25Q64BVSSIG |
A25L064M-F |
EN25B64-100FIP |
M25P64-VMW7TPBA |
SST25VF064B-66-4I-S2AF |
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128M |
W25Q128BVFIG |
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Density |
SPANSION 飞索SPI |
NANTRONICS智隆SPI |
GIGADEVICE 兆易SPI |
KH 港宏SPI |
MXIC 旺宏SPI |
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1M |
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KH25L1005MC-15G |
MX25L1005MI-12G |
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2M |
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KH25L2005MC-15G |
MX25L2005MI-12G |
|
4M |
S25FL004A0LMF1011 |
N25S40-100NE |
GD25Q40TCP |
KH25L4006AM2C-15G |
MX25L4006AM2I-12G |
|
8M |
S25FL008A0LMF1011 |
N25S80-100HE |
GD25Q80SCP |
KH25L8006M2C-15G |
MX25L8006EM2I-12G |
|
16M |
S25FL016A0LMF1011 |
N25S16-100HE |
GD25Q16SCP |
KH25L1606DM2I-12G |
MX25L1606EM2I-12G |
|
32M |
S25FL032POXMF1011 |
N25S32- 100HE |
GD25Q32SIP |
KH25L3206DM2I-12G |
MX25L3206EM2I-12G |
|
64M |
S25FL064POXMF1001 |
|
GD25Q64BFIP |
KH25L6406DM2I-12G |
MX25L6406EM2I-12G |
|
128M |
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|
MX25L12845EMI-10G |
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各品牌Parallel Flash代换表 |
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AMD |
FUJITSU |
SPANSION |
ST |
EON |
SST |
ESI |
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4M |
AM29LV400BB-70EC |
MBM29LV400BC-70TN |
S29AL004D70-TAI020 |
M29W400DB-70N1 |
EN29LV400AB-70TC |
SST39VF400A-70-4C-EK |
ES29LV400FB-70T |
|
AM29LV400BB-70EF |
MBM29LV400BC-70TN-K |
S29AL004D70-TFI020 |
M29W400DB-70N1E |
EN29LV400AB-70TCP |
SST39VF400A-70-4C-EKE |
ES29LV400FB-70TG |
|
|
AM29LV400BT-70EC |
MBM29LV400TC-70TN |
S29AL004D70-TAI010 |
M29W400DT-70N1 |
EN29LV400T-70TC |
|
ES29LV400FI-70T |
|
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|
MBM29LV400TC-70TN-K |
S29AL004D70-TFI010 |
M29W400DT-70N1E |
EN29LV400T-70TCP |
|
ES29LV400FI-70TG |
|
|
8M |
AM29LV800BB-70EI |
MBM29LV800BE-70TN |
S29AL008D70-TAI020 |
M29W800DB-70N1 |
EN29LV800AB-70TC |
SST39VF800A-70-4C-EK |
ES29LV800FB-70T |
|
AM29LV800DB-70EF |
MBM29LV800BE-70TNK |
S29AL008D70-TFI020 |
M29W800DB-70N1E |
EN29LV800AB-70TCP |
SST39VF800A-70-4C-EKE |
ES29LV800FB-70TG |
|
|
AM29LV800BT-70EC |
MBM29LV800TE-70TNEK |
S29AL008D70-TAI010 |
M29W800DT-70N1 |
EN29LV800AT-70TC |
|
ES29LV800FT-70T |
|
|
AM29LV800DT-70EF |
MBM29LV800TE-70TNKEI |
S29AL008D70-TFI010 |
M29W800DT-70N1E |
EN29LV800AT-70TCP |
|
ES29LV800FT-70TG |
|
|
16M |
AM29LV160DB-70EC |
MBM29LV160BE-70TN |
S29AL016D70-TAI020 |
M29W160EB-70N1 |
EN29LV160AB-70TC |
SST39VF1601-70-4C-EK |
ES29LV160FB-70T |
|
|
MBM29LVBE-70TNKEI |
S29AL016D70-TFI020 |
M29W160EB-70N1E |
EN29LV160AB-70TCP |
SST39VF1601-70-4C-EKE |
ES29LV160FB-70TG |
|
|
AM29LV160DF-70EC |
MBM29LVTE-70TN |
S29AL016D70-TAI010 |
M29W160ET-70N1 |
EN29LV160AT-70TC |
|
ES29LV160FT-70T |
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MBM29LV160TE-70TNEKI |
S29AL016D70-TFI010 |
M29W160ET-70N1E |
EN29LV160AT-70TCP |
|
ES29LV160FT-70TG |
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现在仍然有很多刚入行的工程师对快闪记忆体的SLC和MLC不知如何识别,只知道价格便宜是MLC，价格高的就是SLC，如何区分还是一知半解。我们就拿正在走下坡路的MP4作为案例，是买SLC还是MLC快闪记忆体好呢？在这里我先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器品质、资料的安全性、读和取速度、机器寿命等多方面要求较高时，那么SLC肯定是你的首选。但是大容量的SLC记忆体成本要比MLC记忆体成本高很多，所以针对2G以上的大容量市场，低价格的MP4多采用MLC记忆体。大容量、低价格的MLC记忆体自然是受大家的表睐。但它也有先天性的缺点，需要我们对其进行详细了解一番。
什么SLC？
SLC英文全称（Sigle Level Cell---- SLC）既单层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
SLC技术特点是在浮置栅极与源极之中的氧化薄腊更薄，在写入资料时通过对浮置栅极的电荷加电压，然后通过源极，既可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个资讯单元，这种技术能提供快速的程式编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由先进的工艺流程来强化技术，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC) 既多层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
英特尔在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的资讯存入一个Floating Gate（快闪记忆体存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位的电荷，通过记忆体储存的电压精准控制其读写。MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两单元资料，资料密度比较大。SLC架构有0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值。因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
SLC相对于MLC的优势：
目前市场上主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用旧的生产设备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的双重优势。
与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改造，MLC的读写性可得到进一步提升。
SLC相对于MLC的劣势：
MLC架构有很多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以存取10万次，而MLC架构只能存取1万次。
其次就是存取速度慢，在目前的技术条件下，MLC晶片理论速度只能达到2MB左右。SLC架构比MLC架构要快三倍以上。
最后，MLC功耗比SLC高，在相同情况下比SLC要多15左右的电流消耗。
我们从以上几个功能参数方面与SLC相比，很明显MLC处于劣势，不过由于MLC架构和成本都具有不可比拟的优势，在技术区分越来越不明显的今天。市场价格低永远是不二定议。所以工厂首选还是MLC的NAND FLASH。工艺上的快速发展也能满足未来2GB、4GB、8GB、16GB甚至更大容量的市场需求。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统 天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成 本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因 为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高 数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。 NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要 特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进 行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，
更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每 一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
可靠性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一 些。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次 就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建 议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项 处理，将导致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直 接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD )，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软 件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱 动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所 采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
